參數(shù)資料
型號(hào)： ATAM893T-TKQ
廠商： Atmel
文件頁(yè)數(shù)： 92/98頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MON TIRE-PRESS ATARX9X SER
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 4,000
系列： MARC4
核心處理器： MARC4
芯體尺寸： 4-位
速度： 4MHz
連通性： SSI（2 線，3 線）
外圍設(shè)備： 欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 16
程序存儲(chǔ)器容量： 4KB（4K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： EEPROM
EEPROM 大?。?/td> 64 x 16
RAM 容量： 256 x 4
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 6.5 V
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 125°C
封裝/外殼： 20-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）
包裝： 帶卷 (TR)
92
4680C–4BMCU–01/05
ATAM893-D
11. Crystal Characteristics
Figure 11-1. Crystal Equivalent Circuit
32-kHz Crystal Oscillator (Operating Range V
DD = 2.0 V to 6.5 V)
Frequency
f
X
32.768
kHz
Start-up time
t
SQ
0.5
s
Stability
f/f
-10
10
ppm
Integrated input/output capacitances
(configurable)
C
IN/COUT programmable
C
IN
C
OUT
0, 2, 5, 7, 10 or 12
pF
External 32-kHz Crystal Parameters
Crystal frequency
f
X
32.768
kHz
Serial resistance
RS
30
50
k
Static capacitance
C
0
1.5
pF
Dynamic capacitance
C1
3
fF
External 4-MHz Crystal Parameters
Crystal frequency
f
X
4.0
MHz
Serial resistance
RS
40
150
Static capacitance
C
0
1.4
3
pF
Dynamic capacitance
C1
3
fF
EEPROM
Operating current during erase/write
cycle
IWR
600
1300
A
Endurance, erase-/write cycles
E
D
500000
1000000
Cycles
Tamb = 125°C
ED
10000
20000
Cycles
Data erase/write cycle time
For 16-bit access
tDEW
913
ms
Data retention time
tDR
100
Years
Tamb = 85°C
tDR
1Years
Power-up to read operation
tPUR
0.2
ms
Power-up to write operation
tPUW
0.2
ms
Program EEPROM
Erase-/write cycles, Tamb = 0 to 40°C
nEW
100
1000
Cycles
Serial Interface
SCL clock frequency
fSC_MCL
100
500
kHz
10. AC Characteristics (Continued)
Supply voltage V
DD = 1.8 to 6.5 V, VSS = 0 V, Tamb = 25°C unless otherwise specified.
Parameters
Test Conditions
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
L
C1
RS
C0
OSCIN
OSCOUT
Equivalent
circuit
SCLIN
SCLOUT
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PDF描述
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參數(shù)描述
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ATAM893T-TKSYD 功能描述:4位微控制器 - MCU Marc4 micrium 4k FLASH RoHS:否 最大時(shí)鐘頻率:32 KHz/4 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:4 KB 封裝 / 箱體:SSO-20 制造商:Atmel 核心:MARC4 數(shù)據(jù)總線寬度:4 bit 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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