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參數(shù)資料
| 型號： | AT29BV020 |
| 廠商： | Atmel Corp. |
| 英文描述： | 256K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory(256K x 8單電源2.7V Battery-Voltage技術(shù)閃速存儲器) |
| 中文描述： | 256K × 8單2.7伏電池電壓快閃記憶體（256K × 8單電源為2.7V電池電壓技術(shù)閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 139K |
| 代理商： | AT29BV020 |
AT29BV020
5
AC Read Waveforms
Notes:
1.
2.
CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address transition without impact on t
ACC
.
OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address change
without impact on t
ACC
.
t
DF
is specified from OE or CE whichever occurs first (CL = 5 pF).
This parameter is characterized and is not 100% tested.
Input Test Waveforms and
Measurement Level
3.
4.
Output Test Load
Note:
1. These parameters are characterized and not 100% tested.
AC Read Characteristics
Symbol
Parameter
AT29BV020-25
AT29BV020-35
Units
Min
Max
Min
Max
t
ACC
Address to Output Delay
250
350
ns
t
CE
(1)
CE to Output Delay
250
350
ns
t
OE
(2)
OE to Output Delay
0
120
0
150
ns
t
DF
(3)(4)
CE or OE to Output Float
0
60
0
75
ns
t
OH
Output Hold from OE, CE or Address,
whichever occurred first
0
0
ns
t
R
, t
F
< 5 ns
Pin Capacitance
f = 1 MHz, T = 25°C
(1)
Symbol
Typ
Max
Units
Conditions
C
IN
4
6
pF
V
IN
= 0V
C
OUT
8
12
pF
V
OUT
= 0V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT29BV040A | 4 Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory |
| AT29BV040A-25 | 4 Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory |
| AT29BV040A-25TC | 4 Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory |
| AT29BV040A-25TI | 4 Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory |
| AT29BV040A-35 | 4 Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AT29BV020_08 | 制造商:ATMEL 制造商全稱:ATMEL Corporation 功能描述:2-megabit (256K x 8) Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory |
| AT29BV020-12JC | 功能描述:閃存 2M (256K X 8) 2.7V- 120NS COM TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| AT29BV020-12JI | 功能描述:閃存 2M (256K X 8) 2.7V- 120NS IND TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| AT29BV020-12JU | 功能描述:閃存 Parallel 閃存 120NS, GR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| AT29BV020-12TC | 功能描述:閃存 2M (256K X 8) 2.7V- 120NS COM TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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