- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄381354 > AS8F128K32 (Austin Semiconductor, Inc) 128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AS8F128K32 |
| 廠(chǎng)商： | Austin Semiconductor, Inc |
| 英文描述： | 128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY |
| 中文描述： | 128K的× 32閃光的閃存陣列 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/22頁(yè) |
| 文件大小： | 394K |
| 代理商： | AS8F128K32 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)當(dāng)前第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)
FLASH
AS8F128K32
Austin Semiconductor, Inc.
AS8F128K32
Rev. 2.0 5/03
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
13
AC CHARACTERISTICS
JEDEC Standard
Read Cycle Time
1
t
AVAV
t
RC
Min
60 70 90 120 150
ns
Address to Output Delay
t
AVQV
t
ACC
CEx\ = V
IL
OE\ = V
IL
Max
60 70 90 120 150
ns
Chip Enable to Output Delay
t
ELQV
t
CE
Max
60 70 90 120 150
ns
Output Enable to Output Delay
t
GLQV
t
OE
Max
30 35 40
50
55
ns
Chip Enable to Output High Z
1,2
Output Enable to Output High Z
1,2
t
EHQZ
t
DF
Max
20 20 25
30
35
ns
t
GHQZ
t
DF
Max
20 20 25
30
35
ns
Read
Min
ns
Toggle and
Data Polling
Min
ns
Output Hold Time From Addresses
CEx\ or OE\, Whichever Comes First
Erase and Program Operations
t
AXQX
t
OH
Min
ns
Write Cycle Time
1
t
AVAV
t
WC
Min
60 70 90 120 150
ns
Address Setup Time
t
AVWL
t
AS
Min
ns
Address Hold Time
t
WLAX
t
AH
Min
45 45 45
50
50
ns
Data Setup Time
t
DVWH
t
DS
Min
30 30 45
50
50
ns
Data Hold Time
Read Recover Time Before Write
(OE\ High to WEx\ Low)
CEx\ Setup Time
t
WHDX
t
DH
Min
ns
t
GHWL
t
GHWL
Min
ns
t
ELWL
t
CS
Min
ns
CEx\ Hold Time
t
WHEH
t
CH
Min
ns
Write Pulse Width
t
WLWH
t
WP
Min
30 35 45
50
50
ns
Write Pulse Width High
t
WHWL
t
WPH
Min
ns
Byte Programming Operation
4
Sector Erase Operation
4
V
CC
Setup Time
1
t
WHWH1
t
WHWH1
TYP
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
TYP
sec
t
VCS
Min
μs
-150
SYMBOL
TEST SETUP
PARAMETER
-60
UNIT
Output Enable Hold Time
1
Read-Only Operations
t
OEH
10
0
-70 -90 -120
0
0
0
0
1.0
50
0
0
20
14
NOTES:
1. Not 100% tested.
2. Output Driver Disable Time.
3. See Figure 7 and Table 6 for test specifications.
4. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS9C25128M2036L-166PI | 2.5V 256/128K X 36 Synchronous Dual-port SRAM with 3.3V or 2.5V interface |
| AS9C25256M2036L-200BC | 2.5V 256/128K X 36 Synchronous Dual-port SRAM with 3.3V or 2.5V interface |
| AS9C25128M2036L-200BC | 2.5V 256/128K X 36 Synchronous Dual-port SRAM with 3.3V or 2.5V interface |
| AS9C25256M2036L-200BI | 2.5V 256/128K X 36 Synchronous Dual-port SRAM with 3.3V or 2.5V interface |
| AS9C25128M2036L-200BI | 2.5V 256/128K X 36 Synchronous Dual-port SRAM with 3.3V or 2.5V interface |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS8F128K32_07 | 制造商:AUSTIN 制造商全稱(chēng):Austin Semiconductor 功能描述:128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY |
| AS8F128K32P-60/Q | 制造商:Micross Components, Inc. 功能描述:FLASH-MCM,4 MB - Trays |
| AS8F128K32P-70/Q | 制造商:Micross Components 功能描述:FLASH-MCM,4 MB - Trays |
| AS8F128K32Q | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:4096Kbits 128K x 32 Replacement with DSCC 5962-94716 | FLASH |
| AS8F128K32Q1-120/883C | 制造商:AUSTIN 制造商全稱(chēng):Austin Semiconductor 功能描述:128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。