參數(shù)資料
型號： AS7C31026B-20BIN
廠商： ALLIANCE MEMORY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 64K X 16 STANDARD SRAM, 20 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-48
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 293K
代理商： AS7C31026B-20BIN
AS7C31026B
2/27/04, v 1.2
Alliance Semiconductor
P. 5 of 11
Read waveform 2 (OE, CE, UB, LB controlled)3,6,8,9
Write cycle (over the operating range) 11
Parameter
Symbol
-10
-12
-15
-20
Unit
Notes
Min Max Min Max Min Max Min Max
Write cycle time
tWC
10
–
12
–
15
–
20
–
ns
Chip enable (CE) to write end
tCW
8–
9
–
10
–
12
–
ns
Address setup to write end
tAW
8–
9
–
10
–
12
–
ns
Address setup time
tAS
0
–
0
–
0
–0–
ns
Write pulse width
tWP
7
–
8
–
9
–
12
–
ns
Write recovery time
tWR
0
–
0
–
0
–0–
ns
Address hold from end of write
tAH
0
–
0
–
0
–0–
ns
Data valid to write end
tDW
5
–
6
–
8
–
10
–
ns
Data hold time
tDH
0
–
0
–
0
–0–
ns
5
Write enable to output in high Z
tWZ
–
5
–
6
–
7
–
8
ns
4, 5
Output active from write end
tOW
1
–
1
–
1
–
2
–
ns
4, 5
Byte select low to end of write
tBW
7
–
8
–
9
–9–
ns
Data valid
tRC
tAA
tBLZ
tBA
tOE
tOLZ
tOH
tOHZ
tHZ
tBHZ
tACE
tLZ
Address
OE
CE
LB, UB
DataIN
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PDF描述
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