參數(shù)資料
型號： AS7C164-15
廠商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： High Speed CMOS Logic Triple 3-Input AND Gates 14-SOIC -55 to 125
中文描述： 5V的8K的× 8 CMOS SRAM的
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 224K
代理商： AS7C164-15
2
;+,
;9+;:
,
;9+:
:,
Parameter
Write cycle time
Chip enable (CE1) to write end
Chip enable (CE2) to write end
Address setup to write end
Address setup time
Write pulse width
Write recovery time
Address hold from write end
Data valid to write end
Data hold time
Write enable to output in high Z
Output active from write end
Symbol
t
WC
t
CW1
t
CW2
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
-12
-15
-20
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
Min
12
9
9
9
0
8
0
0
6
0
–
3
Max
–
–
–
–
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–
–
–
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–
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–
Min
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10
10
0
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0
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–
3
Max
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–
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–
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–
5
–
Min
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12
12
12
0
12
0
0
8
0
–
3
Max
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
5
–
12
12
12
4, 5
4, 5
4, 5
t
AW
t
AH
t
WC
Address
WE
D
OUT
t
DH
t
OW
t
DW
t
WZ
t
WP
t
AS
Data valid
D
IN
t
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t
AW
Address
CE1
WE
D
OUT
t
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t
CW2
t
WP
t
DW
Data valid
t
DH
t
AH
t
WZ
t
WC
t
AS
CE2
D
IN
t
WR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS7C164-20 5V 8K X 8 CMOS SRAM
AS7C164 5V 8K×8 CMOS SRAM(5V 8K×8 CMOS 靜態(tài)RAM)
AS7C251MFT18A-75TQIN 2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM
AS7C251MFT18A-85TQIN 2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM
AS7C251MFT18A-10TQIN 2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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AS7C164-15JCNTR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64K Fast 8K x 8 5V Asynch RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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