參數(shù)資料
型號(hào): AS7C1029
廠商: Alliance Semiconductor Corporation
英文描述: 5V 256K X 4 CMOS SRAM (Center power and ground)
中文描述: 5V的256K × 4 CMOS SRAM的(中心電源和接地)
文件頁(yè)數(shù): 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 121K
代理商: AS7C1029
AS7C1029
12/5/06, v. 1.0
Alliance Memory
P. 5 of 9
Write waveform 1 (WE controlled)
10,11
Write waveform 2 (CE controlled)
10,11
Write cycle (over the operating range)
11
Parameter
Symbol
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
AS7C1029-12
Min
12
10
10
0
10
0
0
7
0
0
3
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
Max
5
Write cycle time
Chip enable (
CE
) to write end
Address setup to write end
Address setup time
Write pulse width
Write recovery time
Address hold from end of write
Data valid to write end
Data hold time
Write enable to output in high Z
Output active from write end
4, 5
4, 5
4, 5
t
AW
t
AH
t
WC
Address
WE
D
OUT
t
DH
t
OW
t
DW
Data valid
t
WZ
t
WP
t
AS
D
IN
t
WR
t
AW
Address
CE
WE
D
OUT
t
CW
t
WP
t
DW
Data valid
t
DH
t
AH
t
WR
t
WZ
t
WC
t
AS
D
IN
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