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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AS4SD4M16A2-10 |
| 英文描述： | x16 SDRAM |
| 中文描述： | x16內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 28/51頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1071K |
| 代理商： | AS4SD4M16A2-10 |
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S DR A M
AS4SD16M16
Austin Semiconductor, Inc.
AS4SD16M16
Rev. 1.5 6/03
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
28
CAPACITANCE
2
PARAMETER
SYM
C
I1
MIN
2
MAX
4
UNITS
pF
NOTES
29
Input Capacitance: CLK
Input Capacitance: All other input-only pins
C
I2
2
4
pF
30
Input/Output Capacitance: DQs
C
IO
4.0
6.0
pF
31
AC FUNCTIONAL CHARACTERISTICS
5,6,7,8,9,11
SYMBOL
t
CCD
-75
1
UNITS
t
CK
NOTES
17
t
CKED
1
t
CK
14
t
PED
1
t
CK
14
t
DQD
0
t
CK
17
t
DQM
0
t
CK
17
t
DQZ
2
t
CK
17
t
DWD
0
t
CK
17
t
DAL
5
t
CK
15, 21
t
DPL
2
t
CK
16, 21
t
BDL
1
t
CK
17
t
CDL
1
t
CK
17
t
RDL
2
t
CK
16, 21
t
MRD
2
t
CK
26
CL = 3
t
ROH(3)
3
t
CK
17
CL = 2
t
ROH(2)
2
t
CK
17
PARAMETER
LOAD MODE REGISTER command to ACTIVE or REFRESH command
Data-out to high-impedance from PRECHARGE command
DQM to input data delay
CKE to clock enable or power-down exit setup mode
CKE to clock disable or power-down entry mode
READ/WRITE command to READ/WRITE command
DQM to data high-impedance during READs
WRITE command to input data delay
Data-in to ACTIVE command
DQM to data mask during WRITEs
Last data-in to PRECHARGE command
Last data-in to new READ/WRITE command
Last data-in to burst STOP command
Data-in to PRECHARGE command
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4SD4M16A2-8 | x16 SDRAM |
| AS5010 | Voltage Reference |
| AS5010GN | Voltage Reference |
| AS5010HN | Voltage Reference |
| AS5010JT | Voltage Reference |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4SD4M16A2-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| AS4SD4M16DG-10/IT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory |
| AS4SD4M16DG-10/XT | 制造商:Micross Components 功能描述:SDRAM-SDR,64MB - Trays |
| AS4SD4M16DG-8/ET | 制造商:Micross Components 功能描述:SDRAM-SDR,64MB - Trays |
| AS4SD4M16DG-8/IT | 制造商:Micross Components 功能描述:SDRAM-SDR,64MB - Trays |
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