參數(shù)資料
型號(hào)： AS4LC8M8S0-8TC
廠商： ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
中文描述： 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 7/24頁(yè)
文件大?。?/td> 566K
代理商： AS4LC8M8S0-8TC
AS4LC8M8S0
AS4LC4M16S0
7/5/00
ALLIANCE SEMICONDUCTOR
7
I
DD
specifications and conditions
1,2,3
(0
°
C
≤
T
A
≤
70
°
C, V
DD
, V
DDQ
= +3.3V ± 0.3V)
Notes
1
2
3
4
5
I
DD
specifications are tested after proper initialization of the device.
I
DD
is dependent on output loading and clock cycle time. Values are specified with minimum cycle time and outputs open.
I
DD
tests have V
IL
= 0V and V
IH
= 3V.
I
DD
current will decrease at lower CAS latencies. This is because the lower the latency, the lower the clock cycle time.
Address transitions average one transition every two clock cycles.
Parameter
Symbol
Max
–8
Units
Notes
–75
–10F/10
Operating current: active mode; burst = 2; READ or WRITE;
t
RC
= t
RC
(min); CAS latency = 3
Standby current: power-down mode; all banks idle;
CKE = low
Standby current: active mode; CKE = high; CS# = high; all
banks active after t
RCD
met; no accesses in progress
Operating current: burst mode; continuous burst; READ or
WRITE; all banks active; CAS latency = 3
I
DD1
115
95
95
mA
4, 5
I
DD2
2
2
2
mA
4,5
I
DD3
45
35
35
mA
4, 5
I
DD4
140
130
120
mA
4,5
Auto refresh current: CKE = high;
CS# = high
t
RFC
= t
RFC
(min);
CL = 3
t
RFC
= 15.625ms;
CL = 3
I
DD5
210
210
190
mA
4, 5
I
DD6
50
50
40
mA
4,5
Self-refresh current: CKE
≤
0.2V
I
DD7
1
1
1
mA
4,5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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