參數(shù)資料
型號(hào)： AS4LC8M8S0-8TC
廠商： ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM
中文描述： 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 21/24頁(yè)
文件大?。?/td> 566K
代理商： AS4LC8M8S0-8TC
AS4LC8M8S0
AS4LC4M16S0
7/5/00
ALLIANCE SEMICONDUCTOR
21
Interleaved bank read waveform
(BL = 4, CL = 3, Autoprecharge)
BA0 and BA1 together determine which bank undergoes operations. AP = internal precharge begins.
Interleaved bank read waveform
(BL = 8, CL = 3)
BA0 and BA1 together determine which bank undergoes operations.
CLK
CS
RAS
CAS
WE
A10
A0–A9, A11
DQM
CKE
DQ
t
RC
t
RC
t
RC
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RAS
t
RAS
t
RP
t
RAS
t
RCD
t
RCD
t
RCD
t
RCD
QA
a0
QA
a3
QA
a2
QA
a1
QB
b3
QB
b2
QB
b1
QA
a0
QA
a3
QA
a2
QA
a1
QB
b0
QB
b2
QB
b1
RAa
RA
a
RA
b
RA
b
CA
a
CB
b
CB
d
RA
d
RA
d
t
RRD
t
RRD
t
RRD
t
RRD
Bank A
Bank B
Active
Read
Active
AP
Active
Read
AP
Read
Active
AP
Read
Active
BA0/BA1
Bank
Bank
Bank
Bank
Bank
Bank
Bank
Bank
Bank
t
RP
t
RAS
RA
c
RA
c
CB
c
RA
e
RA
e
QB
b0
CLK
CS
RAS
CAS
WE
A10
A0–A9, A11
DQM
CKE
DQ
t
RC
t
RC
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RAS
t
RAS
t
RP
t
RP
t
RCD
t
RCD
t
RCD
RA
a
RA
a
CA
a
RB
b
RB
b
CB
b
RA
c
RA
c
CA
c
QA
a0
QA
a1
QA
a2
QA
a3
QA
a4
QA
a5
QA
a6
QB
b0
QB
b1
QB
b4
QB
b5
QB
b6
QB
b7
Read
QA
c0
QA
c1
Bank A
Bank B
Active Read
Precharge
Read
Precharge
Active
Precharge
Active
BA0/BA1
Bank
Bank
Bank
Bank
Bank
Bank
Bank
Bank
Bank
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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AS5020T 6-BIT MAGNETIC ANGULAR POSITION ENCODER WITH SERIAL INTERFACE
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