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參數(shù)資料
| 型號： | AS4C256K16E0-35 |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| 中文描述： | 5V的256Kx16的CMOS的DRAM（江戶） |
| 文件頁數(shù)： | 6/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 644K |
| 代理商： | AS4C256K16E0-35 |
AS4C256K16E0
4/11/01; v.1.1
Alliance Semiconductor
6 of 24
EDO page mode cycle
Shaded areas contain advance information.
Refresh cycle
Shaded areas contain advance information.
Output enable
Shaded areas contain advance information.
Self refresh cycle
Shaded areas contain advance information.
Std
Symbol
Parameter
-30
-35
-50
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
PC
t
CAP
t
CP
t
PCM
t
CRW
t
RASP
Read
or
write cycle time
12
–
14
–
25
–
ns
14
Access time from
CAS
precharge
–
19
–
21
–
23
ns
13
CAS
precharge time
3
–
4
–
5
–
ns
EDO page mode RMW cycle
56
–
58
–
60
–
ns
Page mode
CAS
pulse width (RMW)
44
–
46
–
50
–
ns
RAS
pulse width
30
75K
35
75K
50
75K
ns
Std
Symbol
Parameter
-30
-35
-50
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
CSR
t
CHR
t
RPC
CAS setup time (CAS-before-RAS)
10
–
10
–
10
–
ns
3
CAS
hold time (
CAS
-before-RAS)
7
–
8
–
10
–
ns
3
RAS precharge to
CAS
hold time
0
–
0
–
0
–
ns
t
CPT
CAS
precharge time
(
CAS
-before-RAS counter test)
8
–
8
–
8
–
ns
Std
Symbol
Parameter
-30
-35
-50
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
ROH
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
RAS hold time referenced to OE
5
–
5
–
5
–
ns
OE
access time
–
10
–
10
–
10
ns
OE
to data delay
5
–
5
–
8
–
ns
Output buffer turnoff delay from
OE
–
8
–
8
–
8
ns
8
OE
command hold time
8
–
8
–
8
–
ns
Std
Symbol
Parameter
-30
-35
-50
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
RASS
RAS pulse width
(CBR self refresh)
100K
–
100K
–
100K
–
ns
t
RPS
RAS precharge time
(CBR self refresh)
85
–
85
–
85
–
ns
t
CHS
CAS
hold time
(CBR self refresh)
30
–
30
–
30
–
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4C256K16E0-35JC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C256K16E0-50 | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C256K16E0-50JC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C256K16E0 | 5V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(5V 256K×16 CMOS動態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）) |
| AS4C256K16FO | 5V 256K × 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode)(5V 256K × 16 CMOS動態(tài)RAM（快速頁面模式）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4C256K16E0-35JC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C256K16E0-45JC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| AS4C256K16E0-50 | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C256K16E050JC | 制造商:Alliance Memory Inc 功能描述: |
| AS4C256K16E0-50JC | 制造商:Alliance Memory Inc 功能描述: 制造商:Alliance Memory Inc 功能描述:Dynamic RAM, EDO, 256K x 16, 40 Pin, Plastic, SOJ |
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