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參數(shù)資料
| 型號： | AS4C256K16E0-35 |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| 中文描述： | 5V的256Kx16的CMOS的DRAM（江戶） |
| 文件頁數(shù)： | 21/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 644K |
| 代理商： | AS4C256K16E0-35 |
AS4C256K16E0
4/11/01; v.1.1
Alliance Semiconductor
21 of 24
CAS-before-RAS self refresh cycle
Typical DC and AC characteristics
Normalized access time t
RAC
vs. supply voltage V
CC
t
RP
t
RASS
t
RPC
t
CP
t
CHS
t
CEZ
RAS
UCAS,
LCAS
DQ
t
RPS
t
CSR
t
RPC
Supply voltage (V)
4.0
5.5
6.0
5.0
4.5
0.8
0.9
1.1
1.2
1.0
1.3
1.4
1.5
N
Ambient temperature (°C)
–55
80
125
35
–10
0.8
0.9
1.1
1.2
1.0
1.3
1.4
1.5
N
Normalized access time t
vs. ambient temperature T
a
Load capacitance (pF)
50
200
250
150
100
30
40
60
70
50
80
90
100
T
Typical access time t
vs. load capacitance C
L
T
a
= 25°C
Supply voltage (V)
4.0
5.5
6.0
5.0
4.5
0.0
10
30
40
20
50
60
70
S
Typical supply current I
CC
vs. supply voltage V
CC
Ambient temperature (°C)
–55
80
125
35
–10
0.0
10
30
40
20
50
60
70
S
Typical supply current I
vs. ambient temperature T
a
Cycle rate (MHz)
2
8
10
6
4
0.0
5
15
20
10
25
30
35
P
Typical power-on current I
PO
vs. cycle rate 1/t
RC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4C256K16E0-35JC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C256K16E0-50 | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C256K16E0-50JC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C256K16E0 | 5V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(5V 256K×16 CMOS動態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）) |
| AS4C256K16FO | 5V 256K × 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode)(5V 256K × 16 CMOS動態(tài)RAM（快速頁面模式）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4C256K16E0-35JC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4C256K16E0-45JC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| AS4C256K16E0-50 | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
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| AS4C256K16E0-50JC | 制造商:Alliance Memory Inc 功能描述: 制造商:Alliance Memory Inc 功能描述:Dynamic RAM, EDO, 256K x 16, 40 Pin, Plastic, SOJ |
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