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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AS4C256K16E0-35 |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| 中文描述： | 5V的256Kx16的CMOS的DRAM（江戶） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 22/24頁(yè) |
| 文件大小： | 644K |
| 代理商： | AS4C256K16E0-35 |
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AS4C256K16E0
4/11/01; v.1.1
Alliance Semiconductor
22 of 24
Supply voltage (V)
4.0
5.5
6.0
5.0
4.5
0
5
15
20
10
25
30
35
R
Typical refresh current I
CC3
vs. supply voltage V
CC
Ambient temperature (°C)
0.0
60
80
40
20
R
Typical refresh current I
vs. Ambient temperature Ta
Supply voltage (V)
4.0
5.5
6.0
5.0
4.5
0
0.5
1.5
2.0
1.0
2.5
3.0
3.5
S
Typical TTL stand-by current I
CC2
vs. supply voltage V
CC
0
5
15
20
10
25
30
35
Ambient temperature (°C)
0
60
80
40
20
0.0
0.5
1.5
2.0
1.0
2.5
3.0
3.5
S
Typical TTL stand-by current I
CC2
vs. ambient temperature T
a
Output voltage (V)
0.0
1.5
2.0
1.0
0.5
0.0
10
30
40
20
50
60
70
O
Typical output sink current I
OL
vs. output voltage V
OL
Output voltage (V)
0.0
3.0
4.0
2.0
1.0
0.0
10
30
40
20
50
60
70
O
Typical output source current I
OH
vs. output voltage V
OH
E
Ambient temperature (°C)
0
60
80
40
20
0.0
5
15
20
10
25
30
35
E
Typical EDO page mode current I
CC4
vs. ambient temperature T
a
Supply voltage (V)
4.0
5.5
6.0
5.0
4.5
0.0
5
15
20
10
25
30
35
Typical EDO page mode current I
CC4
vs. supply voltage V
CC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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