參數(shù)資料
型號(hào)： AS4C256K16E0-35
廠商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)
中文描述： 5V的256Kx16的CMOS的DRAM（江戶(hù)）
文件頁(yè)數(shù)： 12/24頁(yè)
文件大小： 644K
代理商： AS4C256K16E0-35
AS4C256K16E0
4/11/01; v.1.1
Alliance Semiconductor
12 of 24
Read-modify-write cycle waveform
t
RAS
t
RWC
t
RP
t
CRP
t
RSH
t
RCD
t
CSH
t
CAS
t
RAD
t
RAL
t
AR
t
CAH
t
CWL
t
WP
t
CWD
t
RWL
t
AWD
t
OEA
t
CLZ
t
CAC
t
AA
t
DS
t
DH
Row Address
Col Address
Data In
Data Out
RAS
UCAS,
LCAS
Address
WE
OE
I/O
t
RAH
t
RWD
t
RCS
t
RAC
t
OEZ
t
OED
t
ASC
t
ASR
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PDF描述
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AS4C256K16E0-50JC 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)
AS4C256K16E0 5V 256K×16 CMOS DRAM (EDO)(5V 256K×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線）)
AS4C256K16FO 5V 256K × 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode)(5V 256K × 16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（快速頁(yè)面模式）)
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參數(shù)描述
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