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參數(shù)資料
| 型號： | AS4C256K16E0-30 |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| 中文描述： | 5V的256Kx16的CMOS的DRAM（江戶） |
| 文件頁數(shù)： | 9/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 644K |
| 代理商： | AS4C256K16E0-30 |
AS4C256K16E0
4/11/01; v.1.1
Alliance Semiconductor
9 of 24
Early write cycle waveform
Upper byte early write cycle waveform
t
RAS
t
RC
t
RP
t
CRP
t
RSH
t
RCD
t
CSH
t
CAS
t
RAH
t
RAD
t
ASC
t
AWR
t
CAH
t
WCS
t
CWL
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RWL
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WCH
t
WP
t
DS
t
DH
t
DHR
Col Address
Data In
RAS
UCAS,
LCAS
Address
WE
OE
I/O
Row Address
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WCR
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RAL
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ASR
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RC
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RP
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RAD
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AWR
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ASC
t
CAH
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RSH
t
RCD
t
CSH
t
CRP
t
CRP
t
RPC
t
RWL
t
WCS
t
WP
t
DS
t
DH
t
DHR
Row Address
Column Address
Data In
RAS
Address
UCAS
LCAS
WE
OE
Upper I/O
Lower I/O
t
ASR
t
RAL
t
CAS
t
CWL
t
WCH
t
WCR
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| AS4C256K16E0-50JC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AS4C256K16E0-35 | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
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| AS4C256K16E0-50 | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
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