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參數(shù)資料
| 型號： | AS4C256K16E0-30 |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
| 中文描述： | 5V的256Kx16的CMOS的DRAM（江戶） |
| 文件頁數(shù)： | 11/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 644K |
| 代理商： | AS4C256K16E0-30 |
AS4C256K16E0
4/11/01; v.1.1
Alliance Semiconductor
11 of 24
Upper byte write cycle waveform
(OE controlled)
Lower byte write cycle waveform
(OE controlled)
t
RAS
t
RC
t
RP
t
RAL
t
RAD
t
ASC
t
CAH
t
CAS
t
CSH
t
CRP
t
CRP
t
RPC
t
RWL
t
WP
t
OEH
t
DS
t
DH
t
OED
Row Address
Column Address
Data In
RAS
Address
UCAS
LCAS
WE
OE
Upper I/O
Lower I/O
t
CRP
t
AWR
t
RAH
t
RCD
t
RSH
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CWL
t
ASR
t
RC
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RAS
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RP
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Row Address
Column Address
Data In
RAS
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Upper I/O
Lower I/O
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RAL
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ASR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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