參數(shù)資料
型號(hào)： AS4C1M16F5
廠商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 5V 1M×16 CMOS DRAM (Fast-page Mode)(5V 1M×16 CMOS動(dòng)態(tài)RAM（快速頁(yè)面模式）)
中文描述： 5V的100萬(wàn)× 16個(gè)CMOS的DRAM（快頁(yè)模式）（5V的100萬(wàn)× 16個(gè)CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（快速頁(yè)面模式））
文件頁(yè)數(shù)： 6/21頁(yè)
文件大小： 477K
代理商： AS4C1M16F5
6
ALLIANCE SEMICONDUCTOR
6/1/00
AS4C1M16F5
Fast page mode cycle
Output enable
Symbol
t
CPA
t
RASP
t
PC
t
CP
t
PCM
t
CRW
Parameter
Access time from
CAS
precharge
RAS
pulse width
Read-write cycle time
CAS
precharge time (fast page)
Fast page mode RMW cycle
Page mode
CAS
pulse width (RMW)
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
13
Min
–
50
30
10
80
54
Max
28
100K
–
–
–
–
Min
–
60
35
10
85
60
Max
35
100K
–
–
–
–
Symbol
t
CLZ
t
ROH
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
t
OLZ
t
OFF
Parameter
CAS
to output in Low Z
RAS
hold time referenced to
OE
OE
access time
OE
to data delay
Output buffer turnoff delay from
OE
OE
command hold time
OE
to output in Low Z
Output buffer turn-off time
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
8
Min
0
8
–
13
0
10
0
0
Max
–
–
13
–
13
–
–
13
Min
0
10
–
15
0
10
0
0
Max
–
–
15
–
15
–
–
15
8
8,10
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PDF描述
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