參數(shù)資料
型號： AS4C1M16F5
廠商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 5V 1M×16 CMOS DRAM (Fast-page Mode)(5V 1M×16 CMOS動態(tài)RAM（快速頁面模式）)
中文描述： 5V的100萬× 16個CMOS的DRAM（快頁模式）（5V的100萬× 16個CMOS動態(tài)隨機(jī)存儲器（快速頁面模式））
文件頁數(shù)： 5/21頁
文件大?。?/td> 477K
代理商： AS4C1M16F5
AS4C1M16F5
6/1/00
ALLIANCE SEMICONDUCTOR
5
Write cycle
Read-modify-write cycle
Refresh cycle
Symbol
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
Parameter
Write command setup time
Write command hold time
Write command pulse width
Write command to
RAS
lead time
Write command to
CAS
lead time
Data-in setup time
Data-in hold time
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
11
11
Min
0
10
10
10
8
0
8
Max
–
–
–
–
–
–
–
Min
0
10
10
10
10
0
10
Max
–
–
–
–
–
–
–
12
12
Symbol
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
Parameter
Read-write cycle time
RAS
to
WE
delay time
CAS
to
WE
delay time
Column address to
WE
delay time
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
ns
Notes
Min
113
67
32
42
Max
–
–
–
–
Min
135
77
35
47
Max
–
–
–
–
11
11
11
Symbol
t
CSR
t
CHR
t
RPC
Parameter
CAS
setup time (
CAS
-before-
RAS
)
CAS
hold time (
CAS
-before-RAS)
RAS precharge to
CAS
hold time
CAS
precharge time
(CBR counter test)
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
Notes
3
3
Min
5
8
0
Max
–
–
–
Min
5
10
0
Max
–
–
–
t
CPT
10
10
–
ns
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PDF描述
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