參數(shù)資料
型號: AS4C1M16F5
廠商: Alliance Semiconductor Corporation
英文描述: 5V 1M×16 CMOS DRAM (Fast-page Mode)(5V 1M×16 CMOS動態(tài)RAM(快速頁面模式))
中文描述: 5V的100萬× 16個CMOS的DRAM(快頁模式)(5V的100萬× 16個CMOS動態(tài)隨機(jī)存儲器(快速頁面模式))
文件頁數(shù): 4/21頁
文件大?。?/td> 477K
代理商: AS4C1M16F5
4
ALLIANCE SEMICONDUCTOR
6/1/00
AS4C1M16F5
AC parameters common to all waveforms
Read cycle
Symbol
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
RCD
t
RAD
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
T
t
REF
t
CP
t
RAL
t
ASC
t
CAH
Parameter
Random read or write cycle time
RAS
precharge time
RAS
pulse width
CAS
pulse width
RAS
to
CAS
delay time
RAS
to column address delay time
CAS
to
RAS
hold time
RAS
to
CAS
hold time
CAS
to
RAS
precharge time
Row address setup time
Row address hold time
Transition time (rise and fall)
Refresh period
CAS precharge time
Column address to
RAS
lead time
Column address setup time
Column address hold time
-50
-60
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
Notes
Min
84
30
50
8
15
12
10
40
5
0
8
1
8
25
0
8
Max
10K
10K
35
25
50
16
Min
104
40
60
10
15
12
10
50
5
0
10
1
10
30
0
10
Max
10K
10K
43
30
50
16
6
7
4,5
3
Symbol
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RCS
t
RCH
Parameter
Access time from
RAS
Access time from
CAS
Access time from address
Read command setup time
Read command hold time to
CAS
Read command hold time to
RAS
-50
-60
Unit Notes
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Min
0
0
0
Max
50
13
25
Min
0
0
0
Max
60
17
30
6
6,13
7,13
9
9
tRRH
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