參數(shù)資料
型號： APTGT50X60T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 269K
代理商： APTGT50X60T3G
APTGT50X60T3G
A
P
TGT50X60T3G
–
Re
v0
Ju
ly,
20
07
www.microsemi.com
5- 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
20
40
60
80
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I F
(A
)
Hard
switching
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2040
6080
IC (A)
Fm
ax,
Oper
at
in
g
Fr
equ
ency
(k
Hz
)
VCE=300V
D=50%
RG=8.2
TJ=150°C
Tc=85°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
The
rma
lI
m
p
eda
n
ce
(
°C/W
)
Diode
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
APTGT600DU60 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT600DU60 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGT600A60 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
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