參數(shù)資料
型號： APTGT50X60T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 269K
代理商： APTGT50X60T3G
APTGT50X60T3G
A
P
TGT50X60T3G
–
Re
v0
Ju
ly,
20
07
www.microsemi.com
2- 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
250
A
Tj = 25°C
1.5
1.9
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 50A
Tj = 150°C
1.7
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 600A
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
3150
Coes
Output Capacitance
200
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
95
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
110
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
200
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 50A
RG = 8.2
40
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
120
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
250
Tf
Fall Time
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 50A
RG = 8.2
60
ns
Tj = 25°C
0.3
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 150°C
0.43
mJ
Tj = 25°C
1.35
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 50A
RG = 8.2
Tj = 150°C
1.75
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 150°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
50
A
Tj = 25°C
1.6
2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 50A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.5
V
Tj = 25°C
100
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
150
ns
Tj = 25°C
2.6
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 150°C
5.4
C
Tj = 25°C
0.6
Er
Reverse Recovery Energy
IF = 50A
VR = 300V
di/dt =1800A/s
Tj = 150°C
1.2
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT600DU60 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT600DU60 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT600U120D4G 880 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT600U120D4 880 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT600U120D4 880 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT580U60D4G 功能描述:IGBT 600V 760A 1600W D4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT600A60 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT600A60G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B
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