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APTGT580U60D4G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • APTGT580U60D4G
    APTGT580U60D4G

    APTGT580U60D4G

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • IGBT 600V 760A 1600W

  • 22+

  • -
  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
APTGT580U60D4G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT 600V 760A 1600W D4
  • RoHS
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開)
  • 1.4V @ 15V,100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止(最大)
  • 100µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • SOT-227B
APTGT580U60D4G 技術(shù)參數(shù)
  • APTGT50X60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 600V 80A 176W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.15nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT50TL60T3G 功能描述:MOD IGBT 600V 80A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三級反相器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.15nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT50TL601G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 80A 176W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三級反相器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.15nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT50TDU60PG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Triple, Dual - Common Source 600V 80A 176W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三,雙 - 共源 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.15nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT50TDU170PG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Triple, Dual - Common Source 1700V 70A 310W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三,雙 - 共源 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:310W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.4nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT75A120T1G APTGT75A120TG APTGT75A170D1G APTGT75A60T1G APTGT75DA120D1G APTGT75DA120T1G APTGT75DA120TG APTGT75DA170D1G APTGT75DA170T1G APTGT75DA60T1G APTGT75DDA60T3G APTGT75DH120T3G APTGT75DH120TG APTGT75DH60T1G APTGT75DH60TG APTGT75DSK60T3G APTGT75DU120TG APTGT75H120TG
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