參數(shù)資料
型號(hào)： APTCV60TLM24T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/13頁(yè)
文件大小： 300K
代理商： APTCV60TLM24T3G
APTCV60TLM24T3G
APT
C
V60T
LM
24T
3G
–
Rev
0
October
,2009
www.microsemi.com
12 - 13
CR7 & CR8 Typical performance curve
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lIm
p
e
da
nc
e
(
°C
/W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
VF, Anode to Cathode Voltage (V)
I F
,Forwa
rd
Current
(A)
Forward Current vs Forward Voltage
Energy losses vs Collector Current
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
20
406080
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 800V
VGE = 15V
RG = 5
TJ = 125°C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
010
20
30
Gate resistance (ohms)
E
(
m
J
)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
VCE = 800V
VGE =15V
IC = 30A
TJ = 125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTCV60TLM45T3G 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGV100H60BTPG 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGV25H120BG 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGV50H60BG 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
AS-40.000-S-FUND-SMD-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 40 MHz
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參數(shù)描述
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