參數(shù)資料
型號： APTGV100H60BTPG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP6-P, MODULE-21
文件頁數(shù)： 1/15頁
文件大小： 462K
代理商： APTGV100H60BTPG
APTGV100H60BTPG
A
P
TG
V100H
60
BTPG
–
R
ev
0
Se
pte
m
be
r,
2007
www.microsemi.com
1-15
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
CR3
OUT2
CR4
G3
E3
OUT1
VBUS1
E4
G4
Q4
G1
E1
CR5
K
E2
G2
Q2
NTC
0/VBUS1
S5
G5
Q1
Q3
NTC1
S
D
0/VBUS2
NTC2
VBUS2
CR1
CR2
Q5
Full bridge top switches : Trench + Field Stop IGBT
Full bridge bottom switches : FAST NPT IGBT
Q5 boost chopper : CoolMOS
G4
G3
E3
E4
0/VBUS 1
0/VBUS 2
E1
G1
NT
C1
G5
S5
NT
C2
E2
G2
D
VBUS 1
K
SOUT2
OUT 1
VBUS 2
Trench & Field Stop IGBT Q1, Q3:
VCES = 600V ; IC = 100A @ Tc = 80°C
Fast NPT IGBT Q2, Q4:
VCES = 600V ; IC = 100A @ Tc = 80°C
CoolMOS Q5:
VCES = 600V ; IC = 95A @ Tc = 25°C
Application
Solar converter
Features
Q2, Q4 (FAST Non Punch Through (NPT) IGBT)
- Switching frequency up to 100 kHz
- RBSOA & SCSOA rated
- Low tail current
Q1, Q3 (Trench & Field Stop IGBT)
- Low voltage drop
- Switching frequency up to 20 kHz
- RBSOA & SCSOA rated
- Low tail current
Q5 (CoolMOS)
- Ultra low RDSon
- Low Miller capacitance
- Ultra low gate charge
- Avalanche energy rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
High level of integration
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Optimized conduction & switching losses
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal
for easy PCB mounting
Low profile
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
RoHS Compliant
Boost chopper CoolMos + full bridge
NPT & Trench + Field Stop IGBT
Power module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGV25H120BG 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGV50H60BG 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
AS-40.000-S-FUND-SMD-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 40 MHz
AS-27.000-S-FUND-SMD-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 27 MHz
AS-4.194304-S-FUND-SMD-H3-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 4.194304 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGV100H60T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV15H120T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV25H120BG 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV25H120T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV30H60T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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