參數(shù)資料
型號： APT65GP60J
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 109K
代理商： APT65GP60J
0
APT65GP60J
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
100
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(V
GE
= 15V)
250
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 2, Output Characteristics (V
GE
= 10V)
16
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 4, Gate Charge
V
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
T
, Junction Temperature (°C)
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
180
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
T
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
B
C
,
V
C
,
I
C
,
I
C
,
V
I
C
D
V
C
,
V
G
,
I
C
,
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
50
100
150
200
250
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
250μsTJ = 25°C.
<0.5 % DUTY CYCLE
T
C
=-55°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
V
CE
=480V
V
CE
=300V
V
CE
=120V
250 VGE = 10V.
<0.5 % DUTY CYCLE
80
250 VGE = 15V.
<0.5 % DUTY CYCLE
80
250 VGE = 15V.
<0.5 % DUTY CYCLE
0
I
C
= 65A
T
J
= 25°C
TJ = 25°C
TJ = -55°C
TJ = 125°C
T
C
=-55°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C
= 32.5A
I
C
= 65A
I
C
=130A
I
C
=130A
I
C
= 65A
90
70
60
50
40
30
20
10
0
200
150
100
50
0
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
1.2
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
100
90
70
60
50
40
30
20
10
0
14
12
10
8
6
4
2
0
3
2.5
2
1.5
1
0.5
160
140
120
100
80
60
40
20
0
I
C
= 32.5A
相關PDF資料
PDF描述
APT65GP60L2DF2 POWER MOS 7 IGBT
APT65GP60L2DQ2 POWER MOS 7 IGBT
APT65GP60L2DQ2G POWER MOS 7 IGBT
APT75DQ100B ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT75DQ100BG ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APT65GP60JDQ2 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APT65GP60L2DF2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT65GP60L2DQ2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT65GP60L2DQ2G 功能描述:IGBT 600V 198A 833W TO264 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT66F60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*