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配單專家企業(yè)名單

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供應商
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價格
說明
操作

APT65GP60L2DF2
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
APT
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

APT65GP60L2DF2
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
APT
TO
07/08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT65GP60L2DF2
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
APT
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

APT65GP60L2DF2
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業(yè)執(zhí)照
13978
APT
直插/貼片
2024+
-
一級代理商原裝現貨

APT65GP60L2DF2
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9600
APT
價格優(yōu)勢
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應

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制造商
ADPOW
制造商全稱
Advanced Power Technology
功能描述
POWER MOS 7 IGBT

APT65GP60L2DF2 技術參數

APT65GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 130A 431W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:431W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，65A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:7.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT65GP60B2G 功能描述:IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):250A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，65A 功率 - 最大值:833W 開關能量:605μJ（開），896μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:210nC 25°C 時 Td（開/關）值:30ns/91ns 測試條件:400V，65A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT64GA90LD30 功能描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):193A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.1V @ 15V，38A 功率 - 最大值:500W 開關能量:1192μJ（開），1088μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:162nC 25°C 時 Td（開/關）值:18ns/131ns 測試條件:600V，38A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT64GA90B2D30 功能描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):193A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.1V @ 15V，38A 功率 - 最大值:500W 開關能量:1192μJ（開），1088μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:162nC 25°C 時 Td（開/關）值:18ns/131ns 測試條件:600V，38A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT64GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):193A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.1V @ 15V，38A 功率 - 最大值:500W 開關能量:1857μJ（開），2311μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:162nC 25°C 時 Td（開/關）值:18ns/131ns 測試條件:600V，38A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT70GR120B2 APT70GR120J APT70GR120JD60 APT70GR120L APT70GR65B APT70GR65B2DU40 APT70GR65B2SCD30 APT70SM70B APT70SM70J APT70SM70S APT75DF170HJ APT75DL120HJ APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2 APT75F50L