APT75DL60HJ

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

APT75DL60HJ
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc,iscsemi
ISOTOP，SOT-227
2024+
-
國產(chǎn)品牌，可替代原裝

1/1頁 40條/頁共4條
1

您是不是要找： APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3 APT75GN120JDQ3G

APT75DL60HJ PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

APT75DL60HJ PDF下載

制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
ISOTOP Fast Diode Full Bridge Power Module

APT75DL60HJ 技術(shù)參數(shù)

APT75DL120HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 75A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:單相電壓 - 峰值反向（最大值）:1200V 電流 - DC 正向（If）:75A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75DF170HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1700V 75A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:單相電壓 - 峰值反向（最大值）:1700V 電流 - DC 正向（If）:75A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70SM70S 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:65A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 32.5A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:125nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70SM70J 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:49A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 32.5A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:125nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:165W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70SM70B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:65A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 32.5A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:125nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J APT75GP120JDQ3 APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JU2 APT75GT120JU3 APT75M50B2 APT75M50L APT77N60BC6 APT77N60JC3 APT77N60SC6 APT7F100B APT7F120B APT7F80K