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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT60N60SCSG |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Super Junction MOSFET |
| 中文描述： | 超級(jí)結(jié)MOSFET的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 411K |
| 代理商： | APT60N60SCSG |
0
Typical Performance Curves
APT60N60B_SCS(G)
Scope pics are placed with the place command
and then scaled to 50%
Figure 19, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
Figure 18, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Drain Current
Drain Voltage
Gate Voltage
T
J
125°C
10%
t
d(on)
90%
5%
t
r
10%
APT60DQ60
ID
VDS
D.U.T.
V
DD
G
Figure 20, Inductive Switching Test Circuit
T
J
125°C
10%
0
t
d(off)
t
f
Switching Energy
90%
90%
Drain Voltage
Gate Voltage
Drain Current
Switching Energy
TO
-
247 Package Outline
D
3
PAK Package Outline
e3
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
100% Sn
15.49 (.610)
5.38 (.212)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.80 (.819)
1.65 (.065)
1.01 (.040)
3.50 (.138)
2.87 (.113)
4.69 (.185)
1.49 (.059)
2.21 (.087)
0.40 (.016)
D
Drain
Source
Gate
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
15.95 (.628)
1.22 (.048)
5.45 (.215) BSC
4.98 (.196)
1.47 (.058)
2.67 (.105)
{3 Plcs}
0.46 (.018)
0.020 (.001)
Dimensions in Millimeters (Inches)
Heat Sink (Drain)
3.81 (.150)
D
(
1.98 (.078)
Gate
Drain
Source
1.27 (.050)
11.51 (.453)
13.41 (.528)
Revised
1.04 (.041)
13.79 (.543)
4/18/95
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT65GP60B2 | POWER MOS 7 IGBT |
| APT65GP60JDQ2 | POWER MOS 7 IGBT |
| APT65GP60J | POWER MOS 7 IGBT |
| APT65GP60L2DF2 | POWER MOS 7 IGBT |
| APT65GP60L2DQ2 | POWER MOS 7 IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT60N60SCSG/TR | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK |
| APT60N90JC3 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Super Junction MOSFET |
| APT60S20B | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
| APT60S20B2CT | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
| APT60S20B2CTG | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 2X75A 200V T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:1 對(duì)共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
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