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參數(shù)資料
| 型號： | APT60N60SCSG |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Super Junction MOSFET |
| 中文描述： | 超級結(jié)MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 411K |
| 代理商： | APT60N60SCSG |
0
Typical Performance Curves
APT60N60B_SCS(G)
Scope pics are placed with the place command
and then scaled to 50%
5V
5.5V
6.5V
15, 10 & 7V
140
120
100
80
60
40
20
0
1.40
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
V
DS
> I
D(ON)
x R
DS(ON)
MAX.
250μSEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
D
,
I
D
,
I
D
,
(
V
G
(
B
D
,
R
D
(
I
D
,
(
V
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 3, LOW VOLTAGE OUTPUT CHARACTERISTICS
FIGURE 2, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
V
GS
, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 4, TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPERES)
FIGURE 5, R
DS
(ON) vs DRAIN CURRENT
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, BREAKDOWN VOLTAGE vs TEMPERATURE
FIGURE 6, MAXIMUM DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE
2.5
I
D
= 44A
V
GS
= 10V
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8, ON-RESISTANCE vs. TEMPERATURE
T
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 9, THRESHOLD VOLTAGE vs TEMPERATURE
0
5
10
15
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
20
40
60
80
100
120
140
25
50
75
100
125
150
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
= -55°C
T
J
= +25°C
T
J
= +125°C
NORMALIZED TO
V
GS
= 10V @ 44A
V
GS
=10V
V
GS
=20V
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
60
50
40
30
20
10
0
2.0
1.5
1.0
0.5
0
4.5V
6V
0.143
0.233
0.00391
0.00717
0.120
0.680
Power
(watts)
Junction
temp. (
°
C)
RC MODEL
Case temperature. (
°
C)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT65GP60B2 | POWER MOS 7 IGBT |
| APT65GP60JDQ2 | POWER MOS 7 IGBT |
| APT65GP60J | POWER MOS 7 IGBT |
| APT65GP60L2DF2 | POWER MOS 7 IGBT |
| APT65GP60L2DQ2 | POWER MOS 7 IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT60N60SCSG/TR | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK |
| APT60N90JC3 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Super Junction MOSFET |
| APT60S20B | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
| APT60S20B2CT | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
| APT60S20B2CTG | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 2X75A 200V T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復(fù)時間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
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