參數(shù)資料
型號(hào)： APT60N60SCSG
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Super Junction MOSFET
中文描述： 超級(jí)結(jié)MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 411K
代理商： APT60N60SCSG
0
APT60N60B_SCS(G)
h the place command
T
C
=+25°C
T
=+150°C
SINGLE PULSE
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
C
rss
C
iss
C
oss
V
G
,
I
D
,
I
D
,
C
230
100
50
10
5
1
16
14
12
10
8
6
4
2
0
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
200
100
10
1
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 11, CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Q
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
FIGURE 12, GATE CHARGE vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
250
V
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 13, SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
110
100μS
1mS
10mS
S
t
d
d
t
r
f
(
E
on
E
off
I
D
(A)
I
D
(A)
FIGURE 14, DELAY TIMES vs CURRENT
FIGURE 15, RISE AND FALL TIMES vs CURRENT
2500
I
(A)
R
, GATE RESISTANCE (Ohms)
FIGURE 17, SWITCHING ENERGY VS. GATE RESISTANCE
FIGURE 16, SWITCHING ENERGY vs CURRENT
T
J
=+150°C
T
J
=+25°C
I
D
= 44A
t
d(on)
t
d(off)
V
DD
= 400V
R
G
= 4.3
T
= 125°C
L = 100μH
V
DD
= 400V
R
G
= 4.3
T
= 125°C
L = 100μH
E
on
includes
diode reverse recovery.
V
DD
= 400V
R
G
= 4.3
T
= 125°C
L = 100μH
t
r
t
f
0
20
40
60
80
0
20
40
60
80
0
20
40
60
80
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
1
10
100
600
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
250
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
DS
=300V
V
DS
=120V
V
DS
=480V
200
150
100
50
0
2000
1500
1000
500
0
E
on
E
off
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2000
1500
1000
500
0
V
DD
= 400V
I
D
= 44A
T
= 125°C
L = 100μH
E
on
includes
diode reverse recovery.
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PDF描述
APT65GP60B2 POWER MOS 7 IGBT
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APT65GP60J POWER MOS 7 IGBT
APT65GP60L2DF2 POWER MOS 7 IGBT
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APT60S20B 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
APT60S20B2CT 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
APT60S20B2CTG 功能描述:DIODE SCHOTTKY 2X75A 200V T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:1 對(duì)共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2
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