參數(shù)資料
型號： APT45GP120JDF2
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 211K
代理商： APT45GP120JDF2
050-7432
Rev
C
8-2004
APT45GP120JDF2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C = 77°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J = 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F(AV)
I
F(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F = 45A
Forward Voltage
I
F = 90A
I
F = 45A, TJ = 125°C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
3.67
4.64
2.56
APT45GP120JDF2
24
30
210
DYNAMICCHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified.
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
MIN
TYP
MAX
-
37
-
300
-
370
-4
-
430
-
2025
-9
-
170
-
2970
-31
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Characteristic
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Symbol
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F = 30A, diF/dt = -200A/s
V
R = 800V, TC = 25°C
I
F = 30A, diF/dt = -200A/s
V
R = 800V, TC = 125°C
I
F = 30A, diF/dt = -1000A/s
V
R = 800V, TC = 125°C
I
F = 1A, diF/dt = -100A/s, VR = 30V, TJ = 25°C
FIGURE 25b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.291
°C/W
0.468
°C/W
0.341
°C/W
0.00307 J/
°C
0.0463 J/
°C
0.267 J/
°C
Power
(watts)
Junction
temp(
°C)
RC MODEL
Case temperature(
°C)
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULARPULSEDURATION(seconds)
FIGURE25a.MAXIMUMEFFECTIVETRANSIENTTHERMALIMPEDANCE,JUNCTION-TO-CASEvs.PULSEDURATION
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.3
0.7
0.9
0.05
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT47N60SCF 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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APT45GR65B2DU30 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:15ns/100ns 測試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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