參數(shù)資料
型號(hào)： APT45GP120JDF2
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 211K
代理商： APT45GP120JDF2
050-7432
Rev
C
8-2004
APT45GP120JDF2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, EON1 Test Circuit
Gate Voltage
Collector Voltage
Collector Current
90%
0
Switching
Energy
T
J = 125 C
90%
t
d(off)
tf
10%
td(on)
5%
10%
90%
tr
5 %
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
T
J = 125 C
IC
A
D.U.T.
APT30DF120
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT47N60SCF 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT47N60SCFG 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT47N60BCF 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT47N65BC3 47 A, 650 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT5010B2VFR 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT45GP120JDQ2 功能描述:IGBT 1200V 75A 329W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT45GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:92A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):168A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:357W 開關(guān)能量:900μJ（開），580μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:15ns/100ns 測試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT45GR65B2DU30 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:15ns/100ns 測試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT45GR65BSCD10 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:15ns/100ns 測試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT45GR65SSCD10 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:15ns/100ns 測試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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