參數(shù)資料
型號(hào)： APT45GP120JDF2
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 211K
代理商： APT45GP120JDF2
050-7432
Rev
C
8-2004
APT45GP120JDF2
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
Cies
Coes
Cres
VGEP
Qg
Qge
Qgc
RBSOA
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon1
Eon2
Eoff
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon1
Eon2
Eoff
Test Conditions
Capacitance
VGE = 0V, VCE = 25V
f = 1 MHz
Gate Charge
VGE = 15V
VCE = 600V
IC = 45A
TJ = 150°C, RG = 5, VGE =
15V, L = 100H,VCE = 960V
Inductive Switching (25°C)
VCC = 600V
VGE = 15V
IC = 45A
RG = 5
TJ = +25°C
Inductive Switching (125°C)
VCC = 600V
VGE = 15V
IC = 45A
RG = 5
TJ = +125°C
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate-to-Emitter Plateau Voltage
Total Gate Charge 3
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector ("Miller") Charge
Reverse Bias Safe Operating Area
Turn-on Delay Time
Current Rise Time
Turn-off Delay Time
Current Fall Time
Turn-on Switching Energy 4
Turn-on Switching Energy (Diode) 5
Turn-off Switching Energy 6
Turn-on Delay Time
Current Rise Time
Turn-off Delay Time
Current Fall Time
Turn-on Switching Energy 4 4
Turn-on Switching Energy (Diode) 55
Turn-off Switching Energy 66
MIN
TYP
MAX
3935
300
55
7.5
185
25
80
170
18
29
100
38
900
1870
905
18
29
150
80
900
3080
2255
UNIT
pF
V
nC
A
ns
J
ns
J
UNIT
°C/W
gm
MIN
TYP
MAX
.38
1.10
29.2
Characteristic
Junction to Case (IGBT)
Junction to Case (DIODE)
Package Weight
Symbol
RΘJC
WT
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS
1 Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2 For Combi devices, I
ces includes both IGBT and FRED leakages
3 See MIL-STD-750 Method 3471.
4E
on1 is the clamped inductive turn-on-energy of the IGBT only, without the effect of a commutating diode reverse recovery current
adding to the IGBT turn-on loss. (See Figure 24.)
5E
on2 is the clamped inductive turn-on energy that includes a commutating diode reverse recovery current in the IGBT turn-on switching
loss. (See Figures 21, 22.)
6E
off is the clamped inductive turn-off energy measured in accordance wtih JEDEC standard JESD24-1. (See Figures 21, 23.)
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
1
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PDF描述
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參數(shù)描述
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APT45GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:92A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):168A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:357W 開(kāi)關(guān)能量:900μJ（開(kāi)），580μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:15ns/100ns 測(cè)試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT45GR65B2DU30 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 開(kāi)關(guān)能量:* 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:15ns/100ns 測(cè)試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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