參數(shù)資料
型號： APT45GP120JDF2
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大小： 211K
代理商： APT45GP120JDF2
050-7432
Rev
C
8-2004
APT45GP120JDF2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,
high voltage switching applications and has been optimized for high frequency
switchmode power supplies.
Low Conduction Loss
50 kHz operation @ 800V, 16A
Low Gate Charge
20 kHz operation @ 800V, 30A
Ultrafast Tail Current shutoff
RBSOA rated
POWER MOS 7 IGBT
G
C
E
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified.
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
APT Website - http://www.advancedpower.com
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MIN
TYP
MAX
1200
3
4.5
6
3.3
3.9
3.0
750
3000
±100
Characteristic / Test Conditions
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VGE = 0V, IC = 750A)
Gate Threshold Voltage (VCE = VGE, IC = 1mA, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 45A, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 45A, Tj = 125°C)
Collector Cut-off Current (VCE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 25°C) 2
Collector Cut-off Current (VCE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 125°C) 2
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = ±20V)
Symbol
BVCES
VGE(TH)
VCE(ON)
ICES
IGES
UNIT
Volts
A
nA
Symbol
VCES
VGE
VGEM
IC1
IC2
ICM
RBSOA
PD
TJ,TSTG
TL
APT45GP120JDF2
1200
±20
±30
75
34
170
170A @ 960V
329
-55 to 150
300
UNIT
Volts
Amps
Watts
°C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage Transient
Continuous Collector Current @ TC = 25°C
Continuous Collector Current @ TC = 110°C
Pulsed Collector Current 1 @ TC = 150°C
Reverse Bias Safe Operating Area @ TJ = 150°C
Total Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.
SOT-227
G
E
C
ISOTOP
"UL Recognized"
APT45GP120JDF2
1200V
相關PDF資料
PDF描述
APT47N60SCF 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT47N60SCFG 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT47N60BCF 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT47N65BC3 47 A, 650 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT5010B2VFR 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APT45GP120JDQ2 功能描述:IGBT 1200V 75A 329W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APT45GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:92A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):168A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:357W 開關能量:900μJ（開），580μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關）值:15ns/100ns 測試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1
APT45GR65B2DU30 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 開關能量:* 輸入類型:標準 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關）值:15ns/100ns 測試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1
APT45GR65BSCD10 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 開關能量:* 輸入類型:標準 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關）值:15ns/100ns 測試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1
APT45GR65SSCD10 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 開關能量:* 輸入類型:標準 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關）值:15ns/100ns 測試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1
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