參數(shù)資料
型號(hào)： APT45GP120B2DF2
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： B2, TMAX-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 201K
代理商： APT45GP120B2DF2
050-7431
Rev
C
8-2004
APT45GP120B2DF2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
10
20
30
40
50
60
70
80
90
170
100
50
10
5
1
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)
Figure 19A, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10,000
5,000
1,000
500
100
50
10
180
160
140
120
100
180
160
140
120
0
C,
CAPACITANCE
( P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
VCE,COLLECTOR-TO-EMITTERVOLTAGE(VOLTS)
VCE,COLLECTORTOEMITTERVOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 800V
RG = 5
Cies
Coes
max
max1
max 2
max1
d(on)
r
d(off )
f
diss
cond
max 2
on 2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
,f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
R
θ
=
++
+
=
+
=
Cres
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.0296
0.0870
0.0837
0.00782F
0.0150F
0.185F
Power
(Watts)
Junction
temp. ( ”C)
RC MODEL
Case temperature
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PDF描述
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