參數(shù)資料
型號: APT45GP120B2DF2
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: B2, TMAX-3
文件頁數(shù): 3/9頁
文件大?。?/td> 201K
代理商: APT45GP120B2DF2
050-7431
Rev
C
8-2004
APT45GP120B2DF2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(V
GE = 15V)
FIGURE 2, Output Characteristics (V
GE = 10V)
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
T
J, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
T
C, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
BV
CES
,COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0 0.5
1 1.5 2
2.5 3 3.5 4 4.5 5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
6
8
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100 125
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
TJ = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
TC=125°C
TC=25°C
VGE = 10V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
IC = 45A
TJ = 25°C
TJ = -55°C
TJ = 125°C
TC=25°C
TC=125°C
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
IC = 22.5A
IC = 45A
IC = 90A
IC = 22.5A
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
5
4
3
2
1
0
1.2
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2.0
1.5
1.0
0.05
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
IC = 45A
VCE=960V
VCE=600V
VCE=240V
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