參數(shù)資料
型號： APT45GP120B2DQ2
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 113 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： T-MAX, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 436K
代理商： APT45GP120B2DQ2
050-7433
Rev
A
6-2005
APT45GP120B2DQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Collector-Emitter Breakdown Voltage (V
GE = 0V, I C = 750A)
Gate Threshold Voltage (V
CE = VGE, I C = 1mA, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 45A, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 45A, Tj = 125°C)
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 25°C)
2
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 125°C)
2
Gate-Emitter Leakage Current (V
GE = ±20V)
Symbol
V
(BR)CES
V
GE(TH)
V
CE(ON)
I
CES
I
GES
Units
Volts
A
nA
Symbol
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
RBSOA
P
D
T
J,TSTG
T
L
APT45GP120B2DQ2(G)
1200
±30
113
54
170
170A @ 960V
625
-55 to 150
300
UNIT
Volts
Amps
Watts
°C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Continuous Collector Current 7 @ T
C = 25°C
Continuous Collector Current @ T
C = 110°C
Pulsed Collector Current 1 @ T
C = 150°C
Reverse Biad Safe Operating Area @ T
J = 150°C
Total Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.
APT Website - http://www.advancedpower.com
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
MIN
TYP
MAX
1200
3
4.5
6
3.3
3.9
3.0
750
3000
±100
The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch
Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching
applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies.
Low Conduction Loss
100 kHz operation @ 800V, 16A
Low Gate Charge
50 kHz operation @ 800V, 28A
Ultrafast Tail Current shutoff
RBSOA Rated
POWER MOS 7 IGBT
1200V
APT45GP120B2DQ2
APT45GP120B2DQ2G*
*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.
C
E
G
T-MaxTM
G
C
E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT45GP120JDF2 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT47N60SCF 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT47N60SCFG 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT47N60BCF 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT47N65BC3 47 A, 650 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
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參數(shù)描述
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