型號(hào): | APT45GP120B2DQ2 |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | 113 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
封裝: | T-MAX, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 6/9頁(yè) |
文件大?。?/td> | 436K |
代理商: | APT45GP120B2DQ2 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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APT45GP120JDF2 | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
APT47N60SCF | 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT47N60SCFG | 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT47N60BCF | 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
APT47N65BC3 | 47 A, 650 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APT45GP120B2DQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 113A 625W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
APT45GP120BG | 功能描述:IGBT 1200V 100A 625W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
APT45GP120J | 功能描述:IGBT 1200V 75A 329W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
APT45GP120JDQ2 | 功能描述:IGBT 1200V 75A 329W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
APT45GR65B | 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):92A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):168A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:357W 開(kāi)關(guān)能量:900μJ(開(kāi)),580μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:15ns/100ns 測(cè)試條件:433V,45A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |