參數(shù)資料
型號： APT40GP90B2DQ2
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： T-MAX, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 440K
代理商： APT40GP90B2DQ2
050-7491
Rev
A
9-2005
APT40GP90B2DQ2(G)
TJ = 125°C
VR = 667V
20A
40A
80A
400
350
300
250
200
150
100
50
0
35
30
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
TJ = 175°C
70
60
50
40
30
20
10
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETE
RS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 29. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 30. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
R, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 31. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
120
100
80
60
40
20
0
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
V
F, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 25. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 26. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 27. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 28. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
Q
rr,
REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A)
(ns)
T
J = 175°C
T
J = -55°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
0
1.0
2.0
3.0
4.0
0
200
400
600
800
1000 1200
0
200
400
600
800
1000 1200
0
200
400
600
800
1000 1200
TJ = 125°C
VR = 667V
80A
20A
40A
TJ = 125°C
VR = 667V
80A
40A
20A
t
rr
Q
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
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PDF描述
APT40GP90B2DQ2G 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
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APT45GP120B 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
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