參數(shù)資料
型號： APT40GP90B2DQ2G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, T-MAX, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大小： 440K
代理商： APT40GP90B2DQ2G
050-7491
Rev
A
9-2005
APT40GP90B2DQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Collector-Emitter Breakdown Voltage (V
GE = 0V, I C = 350A)
Gate Threshold Voltage (V
CE = VGE, I C = 1mA, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 40A, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 40A, Tj = 125°C)
Collector Cut-off Current (V
CE = 900V, VGE = 0V, Tj = 25°C)
2
Collector Cut-off Current (V
CE = 900V, VGE = 0V, Tj = 125°C)
2
Gate-Emitter Leakage Current (V
GE = ±20V)
Symbol
V
(BR)CES
V
GE(TH)
V
CE(ON)
I
CES
I
GES
Units
Volts
A
nA
Symbol
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J,TSTG
T
L
APT40GP90B2DQ2(G)
900
±30
101
50
160
160A @ 900V
543
-55 to 150
300
UNIT
Volts
Amps
Watts
°C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Continuous Collector Current 7 @ T
C = 25°C
Continuous Collector Current @ T
C = 110°C
Pulsed Collector Current 1
Switching Safe Operating Area @ T
J = 150°C
Total Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.
APT Website - http://www.advancedpower.com
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
MIN
TYP
MAX
900
3
4.5
6
3.2
3.9
2.7
350
1500
±100
The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch
Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching
applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies.
Low Conduction Loss
SSOA Rated
Low Gate Charge
Ultrafast Tail Current shutoff
POWER MOS 7 IGBT
T-Max
G
C
E
C
E
G
900V
APT40GP90B2DQ2
APT40GP90B2DQ2G*
*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT4530BN 21 A, 450 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT4525BN 23 A, 450 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT45GP120BG 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT45GP120B 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT45GP120B 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
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參數(shù)描述
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APT40GP90J 功能描述:IGBT 900V 68A 284W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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