參數(shù)資料
型號(hào)： APT40GP90B2DQ2
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： T-MAX, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 440K
代理商： APT40GP90B2DQ2
050-7491
Rev
A
9-2005
APT40GP90B2DQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
BV
CES
,COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
IC = 40A
TJ = 25°C
250s PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
160
140
120
100
80
60
40
20
0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
5
4
3
2
1
0
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80 100 120 140 160
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100 125
-50
-25
0
25
50
75
100 125
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
160
140
120
100
80
60
40
20
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
120
100
80
60
40
20
0
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(TJ = 25°C)
FIGURE 2, Output Characteristics (TJ = 125°C)
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
VGE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
TJ, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
T
J = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C = 80A
I
C = 40A
I
C = 20A
V
GE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C = 80A
I
C = 40A
I
C = 20A
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
V
CE = 720V
V
CE = 450V
V
CE = 180V
LeadTemperature
Limited
LeadTemperature
Limited
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT40GP90B2DQ2G 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
APT4530BN 21 A, 450 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT4525BN 23 A, 450 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT45GP120BG 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT45GP120B 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT40GP90B2DQ2G 功能描述:IGBT 900V 101A 543W TMAX RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT40GP90BG 功能描述:IGBT 900V 100A 543W TO247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT40GP90J 功能描述:IGBT 900V 68A 284W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT40GP90JDQ2 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 900V 64A 4-Pin SOT-227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi 功能描述:Microsemi APT40GP90JDQ2 IGBTs 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR 制造商:Microsemi 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 900V 64A 4-Pin SOT-227
APT40GR120B 功能描述:IGBT 1200V 88A 500W TO247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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