參數(shù)資料
型號: APT40GP90B2DQ2
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: T-MAX, 3 PIN
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大小: 440K
代理商: APT40GP90B2DQ2
050-7491
Rev
A
9-2005
APT40GP90B2DQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C = 106°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J = 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F(AV)
I
F(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F = 40A
Forward Voltage
I
F = 80A
I
F = 40A, TJ = 125°C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
2.5
3.08
1.97
APT40GP90B2DQ2
40
60
210
DYNAMIC CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
MIN
TYP
MAX
-
24
-
240
-
300
-
3
-
300
-
1430
-
8
-
145
-
2520
-
28
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Characteristic
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Symbol
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F = 40A, diF/dt = -200A/s
V
R = 667V, TC = 25°C
I
F = 40A, diF/dt = -200A/s
V
R = 667V, TC = 125°C
I
F = 40A, diF/dt = -1000A/s
V
R = 667V, TC = 125°C
I
F = 1A, diF/dt = -100A/s, VR = 30V, TJ = 25°C
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
FIGURE 24a. MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs. PULSE DURATION
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.3
0.7
0.05
FIGURE 24b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
D = 0.9
0.0544
0.129
0.426
0.000276
0.0168
0.379
Power
(watts)
Junction
temp(°C)
RC MODEL
Case temperature(°C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT40GP90B2DQ2G 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
APT4530BN 21 A, 450 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT4525BN 23 A, 450 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT45GP120BG 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT45GP120B 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
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參數(shù)描述
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APT40GR120B 功能描述:IGBT 1200V 88A 500W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件