參數(shù)資料
型號(hào)： APT40GF120JRD
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 60 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 115K
代理商： APT40GF120JRD
APT40GF120JRD
052-6256
Rev
B
7-2002
C,
CAPACITANCE
(pF)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(VOLTS)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
TC =+25°C
TJ =+150°C
SINGLE PULSE
IC = IC2
TJ = +25°C
f = 1MHz
9V
10V
8V
Cies
Cres
11V
7V
11V
10V
8V
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
0.05
D=0.5
0.2
0.01
SINGLE PULSE
Coes
VGE=17, 15 & 13V
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
VGE=17, 15 & 13V
TC=-55°C
TC=+150°C
0.1
OPERATION
LIMITED
BY
VCE (SAT)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1, Typical Output Characteristics (TJ = 25°C)
Figure 2, Typical Output Characteristics (TJ = 150°C)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3, Typical Output Characteristics @ VGE = 15V
Figure 4, Maximum Forward Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 5, Typical Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 6, Gate Charges vs Gate-To-Emitter Voltage
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 7, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
VCE=240V
VCE=600V
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
0
246
8
1
10
100
1200
.01
0.1
1.0
10
50
0
100
200
300
400
500
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
80
60
40
20
0
120
10
1
20
16
12
8
4
0
100s
1ms
10ms
80
60
40
20
0
80
60
40
20
0
10,000
5,000
1,000
500
100
9V
TC=+25°C
250sec.PulseTest
VGE =15V
.32
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
0.02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT40GF120JRD 60 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT40GP60B2DF2 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT40GP60S 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT40GP60SG 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT40GP60BG 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
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參數(shù)描述
APT40GF120JRDQ2 功能描述:IGBT 1200V 77A 347W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT40GL120JU2 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT 1200V 65A SOT-227
APT40GL120JU3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT 1200V 65A SOT-227
APT40GLQ120JCU2 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES
APT40GP60B 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
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