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參數(shù)資料
| 型號： | APT30S20S |
| 英文描述： | Volts:200V VF/Vce(ON):0.95V ID(cont):30Amps|High Voltage Schottky Diodes |
| 中文描述： | 電壓：200伏室顫/的Vce（on）：0.95V身份證（續(xù)）：三十○安培|高壓肖特基二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | APT30S20S |
PEARSON 411
CURRENT
TRANSFORMER
0.5 IRRM
di
F
/dt Adjust
30μH
D.U.T.
+15v
-15v
0v
Vr
4
3
1
2
5
5
0.75 IRRM
trr/Qrr
Waveform
Zero
6
1
2
3
4
6
di
/dt - Current Slew Rate, Rate of Forward
Current Change Through Zero Crossing.
I
F
- Forward Conduction Current
I
RRM
- Peak Reverse Recovery Current.
trr - Reverse Recovery Time Measured from Point of I
Current Falling Through Zero to a Tangent Line
{
diM/dt
}
Extrapolated Through Zero Defined by 0.75 and 0.50 I
RRM
.
Qrr - Area Under the Curve Defined by I
RRM
and trr.
diM/dt - Maximum Rate of Current Change During the Trailing Portion of trr.
6
Figure 9, Diode Reverse Recovery Test Circuit and Waveforms
Figure 10, Diode Reverse Recovery Waveform and Definitions
Qrr = 1/2
(
trr . I
RRM
)
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
TO-247 Package Outline
APT30D120BCT
0
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
Anode 1
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
3.55 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Common Cathode
Anode 2
Dimensions in Millimeters and (Inches)
C
TO-247 Package Outline
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT3010BNFR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-247AD |
| APT3010BNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-247AD |
| APT30G100BN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247AD |
| APT30GF60BN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247 |
| APT30GL100BN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT30S20SG | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45A 200V D3PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| APT30SCD120B | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE DIODE 制造商:Microsemi 功能描述:SILICON CARBIDE DIODE |
| APT30SCD120S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE DIODE |
| APT30SCD65B | 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 46A Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:46A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 30A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:600μA @ 650V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:945pF @ 1V, 1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| APT31M100B2 | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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