參數(shù)資料
型號: APT30S20S
英文描述: Volts:200V VF/Vce(ON):0.95V ID(cont):30Amps|High Voltage Schottky Diodes
中文描述: 電壓:200伏室顫/的Vce(on):0.95V身份證(續(xù)):三十○安培|高壓肖特基二極管
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 53K
代理商: APT30S20S
V
F
, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2, Forward Voltage Drop vs Forward Current
di
F
/dt, CURRENT SLEW RATE (AMPERES/μSEC)
Figure 3, Reverse Recovery Charge vs Current Slew Rate
di
F
/dt, CURRENT SLEW RATE (AMPERES/μSEC)
Figure 4, Reverse Recovery Current vs Current Slew Rate
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 5, Dynamic Parameters vs Junction Temperature
di
F
/dt, CURRENT SLEW RATE (AMPERES/μSEC)
Figure 6, Reverse Recovery Time vs Current Slew Rate
di
F
/dt, CURRENT SLEW RATE (AMPERES/μSEC)
Figure 7, Forward Recovery Voltage/Time vs Current Slew Rate
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8, Junction Capacitance vs Reverse Voltage
C
J
,
t
r
,
I
R
,
I
F
,
(
(
(
(
t
f
,
K
f
,
Q
r
,
(
(
(
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f
,
(
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600
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-25
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25
50
75
100 125
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0
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400
600
800
1000
0
200
400
600
800
1000
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
50
100
200
APT30D120BCT
100
80
60
40
20
0
50
40
30
20
10
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250
200
150
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50
0
500
100
50
10
T
J
= 100°C
V
R
= 650V
2400
2000
1600
1200
800
400
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
2000
1600
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800
400
0
100
80
60
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T
J
=100°C
V
R
=650V
T
J
=100°C
V
R
=650V
T
J
= 100°C
V
R
= 650V
I
F
= 30A
t
rr
I
RRM
Q
rr
T
J
= -55°C
T
J
= 100°C
T
J
= 150°C
15A
30A
60A
15A
30A
60A
60A
30A
15A
0
V
fr
t
fr
T
J
= 25°C
t
rr
Q
rr
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT3010BNFR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-247AD
APT3010BNR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-247AD
APT30G100BN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247AD
APT30GF60BN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247
APT30GL100BN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247
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參數(shù)描述
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APT30SCD120S 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE DIODE
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APT31M100B2 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件