參數(shù)資料
型號(hào)： APT30S20S
英文描述： Volts:200V VF/Vce(ON):0.95V ID(cont):30Amps|High Voltage Schottky Diodes
中文描述： 電壓：200伏室顫/的Vce（on）：0.95V身份證（續(xù)）：三十○安培|高壓肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 53K
代理商： APT30S20S
APT30D120BCT
1200V
30A
Characteristic / Test Conditions
Maximum D.C. Reverse Voltage
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
Maximum Working Peak Reverse Voltage
Maximum Average Forward Current (T
C
= 80°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J
= 45°C, 8.3ms)
Operating and StorageTemperature Range
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.
Symbol
V
R
V
RRM
V
RWM
I
F
(AV)
I
F
(RMS)
I
FSM
T
J
,T
STG
T
L
Symbol
V
F
I
RM
C
T
L
S
Characteristic / Test Conditions
I
F
= 30A
Maximum Forward Voltage
I
F
= 60A
I
F
= 30A, T
J
= 150°C
Maximum Reverse Leakage Current
V
R
= V
R
Rated
V
R
= V
R
Rated, T
J
= 125°C
Junction Capacitance, V
R
= 200V
Series Inductance (Lead to Lead 5mm from Base)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PRODUCT BENEFITS
Low Losses
Low Noise Switching
Cooler Operation
Higher Reliability Systems
Increased System Power
Density
UNIT
Volts
Amps
°C
UNIT
Volts
μA
pF
nH
MIN
TYP
MAX
2.5
2.0
2.0
250
500
30
10
APT30D120BCT
1200
30
70
210
-55 to 150
300
MAXIMUM RATINGS
All Ratings Are Per Diode: T
C
= 25°C unless otherwise specified.
PRODUCT FEATURES
Ultrafast Recovery Times
Soft Recovery Characteristics
Popular TO-247 Package
Low Forward Voltage
High Blocking Voltage
Low Leakage Current
PRODUCT APPLICATIONS
Anti-Parallel Diode
-Switchmode Power Supply
-Inverters
Free Wheeling Diode
-Motor Controllers
-Converters
Snubber Diode
Uninterruptible Power Supply (UPS)
Induction Heating
High Speed Rectifiers
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
0
APT Website - http://www.advancedpower.com
1
3
2
1- Anode 1
2- Common Cathode
Back of Case-Cathode
3- Anode 2
TO247
1
2
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT3010BNFR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-247AD
APT3010BNR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-247AD
APT30G100BN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247AD
APT30GF60BN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247
APT30GL100BN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT30S20SG 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45A 200V D3PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
APT30SCD120B 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE DIODE 制造商:Microsemi 功能描述:SILICON CARBIDE DIODE
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APT30SCD65B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 46A Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:46A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 30A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:600μA @ 650V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:945pF @ 1V, 1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT31M100B2 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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