參數(shù)資料
型號(hào)： APT30S20S
英文描述： Volts:200V VF/Vce(ON):0.95V ID(cont):30Amps|High Voltage Schottky Diodes
中文描述： 電壓：200伏室顫/的Vce（on）：0.95V身份證（續(xù)）：三十○安培|高壓肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 53K
代理商： APT30S20S
MIN
TYP
MAX
70
85
70
160
255
255
7
12
12
20
660
1640
15
20
245
160
UNIT
ns
Amps
nC
Volts
A/μs
APT30D120BCT
Characteristic
Reverse Recovery Time, I
F
= 1.0A, di
F
/dt
= -15A/μs, V
R
= 30V,
T
J
= 25°C
Reverse Recovery Time
T
J
= 25°C
I
F
= 30A, di
F
/dt
= -240A/μs, V
R
= 650V
T
J
= 100°C
Forward Recovery Time
T
J
= 25°C
I
F
= 30A, di
F
/dt
= 240A/μs, V
R
= 650V
T
J
= 100°C
Reverse Recovery Current
T
J
= 25°C
I
F
= 30A, di
F
/dt
= -240A/μs, V
R
= 650V
T
J
= 100°C
Recovery Charge
T
J
= 25°C
I
F
= 30A, di
F
/dt
= -240A/μs, V
R
= 650V
T
J
= 100°C
Forward Recovery Voltage
T
J
= 25°C
I
F
= 30A, di
F
/dt
= 240A/μs, V
R
= 650V
T
J
= 100°C
Rate of Fall of Recovery Current
T
J
= 25°C
I
F
= 30A, di
F
/dt
= -240A/μs, V
R
= 650V (See Figure 10)
T
J
= 100°C
10
-5
10
-4
10
-3
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
10
-2
10
-1
1.0
10
FIGURE 1, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
t
rr1
t
rr2
t
rr3
t
fr1
t
fr2
I
RRM1
I
RRM2
Q
rr1
Q
rr2
V
fr1
V
fr2
diM/dt
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Junction-to-Case Thermal Resistance
Junction-to-Ambient Thermal Resistance
Package Weight
Maximum Mounting Torque (Screw Type = 6-32 or 3mm Machine)
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JA
W
T
Torque
MIN
TYP
MAX
0.90
40
0.22
6.1
10
1.1
UNIT
°C/W
oz
gm
lbin
Nm
NOTE:
P x Z +
C
J
=
DUTY FACTOR D=t
1 2
PEAK T
P
D
t
2
t
t
1
1.0
0.5
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0
Z
θ
J
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT3010BNFR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-247AD
APT3010BNR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-247AD
APT30G100BN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247AD
APT30GF60BN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247
APT30GL100BN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT30S20SG 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45A 200V D3PAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類(lèi)型:底座，接線(xiàn)柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線(xiàn)柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱(chēng):*1N3879
APT30SCD120B 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE DIODE 制造商:Microsemi 功能描述:SILICON CARBIDE DIODE
APT30SCD120S 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE DIODE
APT30SCD65B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 46A Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:46A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 30A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:600μA @ 650V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:945pF @ 1V, 1MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT31M100B2 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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