參數(shù)資料
型號(hào)： APT200GN60J
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Intergrated Gate Resistor: Low EMI, High Reliability
中文描述： 集成門(mén)極電阻：低EMI，高可靠性
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 199K
代理商： APT200GN60J
0
APT200GN60J
V
GE
=15V,T
J
=125°C
V
GE
=15V,T
J
=25°C
V
CE
=
400V
R
=
5
L = 100 μH
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
R
G
=
5
, L
=
100
μ
H, V
CE
=
400V
V
CE
= 400V
T
J
= 25°C
,
T
J
=125°C
R
= 5
L = 100 μH
5
25
1200
1000
800
600
400
200
0
100
80
60
40
20
0
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
V
GE
= 15V
T
J
=
125°C, V
GE
=
15V
T
J
=
25 or 125°C,V
GE
=
15V
T
J
=
25°C, V
GE
=
15V
T
J
=
125°C,V
GE
=
15V
T
J
=
25°C,V
GE
=
15V
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
T
J
=
125°C, V
GE
=
15V
T
J
=
25°C, V
GE
=
15V
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
R
G
=
5
, L
=
100
μ
H, V
CE
=
400V
E
O
,
t
r
R
t
d
,
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
E
O
,
t
f
F
t
d
(
,
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
R
, GATE RESISTANCE (OHMS)
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
70
60
50
40
30
20
10
0
60
50
40
30
20
10
0
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
60000
50000
40000
30000
20000
10000
0
45
65
85
105 125 145 165
5
25
45
65
85
105 125 145 165
5
25
45
65
85
105 125 145 165
5
25
45
65 85
105 125 145 165
5
25
45
65
85 105 125 145 165
5
25
45
65 85
105 125 145 165
0
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
E
on2,
150A
E
off,
150A
E
on2,
100A
E
off,
100A
E
on2,
50A
E
off,
50A
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
E
on2,
150A
E
off,
150A
E
off,
100A
E
on2,
100A
E
on2,
50A
E
off,
50A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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APT200GN60JDQ4G 功能描述:IGBT 600V 283A 682W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT200GN60JG 功能描述:IGBT 600V 283A 682W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT200GT60JR 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY - SING - Rail/Tube
APT200GT60JRDL 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube
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