參數(shù)資料
型號： APT200GN60J
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Intergrated Gate Resistor: Low EMI, High Reliability
中文描述： 集成門極電阻：低EMI，高可靠性
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 199K
代理商： APT200GN60J
0
APT200GN60J
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
450
C
,
V
C
,
I
C
,
I
C
,
V
I
C
D
V
C
,
V
G
,
I
C
,
V
CE
= 480V
V
CE
= 300V
V
CE
= 120V
I
C
= 100A
T
J
= 25°C
250μs PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
400
350
300
250
200
150
100
50
0
400
350
300
250
200
150
100
50
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(T
J
= 25°C)
5
10
15
20
25
30
0
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 2, Output Characteristics (T
J
= 125°C)
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
0
200
400
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 4, Gate Charge
600
800 1000 1200 1400
6
8
10
12
14
16
25
50
75
100
125
-50
-25
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
0
25
50
75
100 125
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
2.0
1.5
1.0
0.5
0
300
250
200
150
100
50
0
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
V
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
T
, Junction Temperature (°C)
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
15 & 10V
7V
6V
5.5V
5V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C.
250μs PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C
= 200A
I
C
= 100A
I
C
= 50A
V
= 15V.
250μs PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C
= 200A
I
C
= 100A
I
C
= 50A
6.5V
7.5V
15 & 10V
7.5V
7V
6V
5.5V
5V
6.5V
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