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參數(shù)資料
| 型號： | APT15F50KF |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 6.2 A, 500 V, 0.39 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 220K |
| 代理商： | APT15F50KF |
V
GS= 7, & 10V
5.5V
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
V
GS = 10V
5V
V
DS> ID(ON) x RDS(ON) MAX.
250μSEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
NORMALIZED TO
V
GS = 10V @ 7A
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
C
oss
C
iss
I
D = 7A
V
DS = 640V
V
DS = 160V
V
DS = 400V
T
J = 150°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
T
J = 150°C
C
rss
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
6.5V
6V
V
GS
,GA
TE-T
O-SOURCE
VOL
TAGE
(V)
g
fs
,TRANSCONDUCT
ANCE
R
DS(ON)
,DRAIN-T
O-SOURCE
ON
RESIST
ANCE
I D
,DRAIN
CURRENT
(A)
I
SD,
REVERSE
DRAIN
CURRENT
(A)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
I D
,DRAIN
CURRENT
(A)
I D
,DRIAN
CURRENT
(A)
V
DS(ON), DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1, Output Characteristics
Figure 2, Output Characteristics
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
V
GS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3, R
DS(ON) vs Junction Temperature
Figure 4, Transfer Characteristics
I
D, DRAIN CURRENT (A)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5, Gain vs Drain Current
Figure 6, Capacitance vs Drain-to-Source Voltage
Q
g, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
SD, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 7, Gate Charge vs Gate-to-Source Voltage
Figure 8, Reverse Drain Current vs Source-to-Drain Voltage
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
30
-55 -25
0
25
50
75
100 125 150
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
2
4
6
8
10
12
14
0
100
200
300
400
500
0
20
40
60
80
100
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
25
20
15
10
5
0
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
4,000
1,000
100
10
1
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
APT15F50K_KF
050-8145
Rev
D
12-2009
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT15GP60BDF1 | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP60BDQ1 | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP60BDQ1G | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP60BDQ1 | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP60BG | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT15F60B | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT15F60S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK |
| APT15GF120JCU2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP? Boost chopper NPT IGBT SiC chopper diode |
| APT15GN120BDQ1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |
| APT15GN120BDQ1G | 功能描述:IGBT 1200V 45A 195W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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