參數(shù)資料
型號(hào)： APT100GT60B2R
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TMAX-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 167K
代理商： APT100GT60B2R
052-6297
Rev
B
6
-
2010
Typical Performance Curves
APT100GT60B2R_LR(G)
V
GE
=15V,T
J
=125°C
V
GE
=15V,T
J
=25°C
V
CE
= 400V
R
G
= 4.3
Ω
L = 100H
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
ON2
,
TURN
ON
ENERGY
LOSS
(J)
t r,
RISE
TIME
(ns)
t d(ON)
,TURN-ON
DELA
Y
TIME
(ns)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
OFF
,
TURN
OFF
ENERGY
LOSS
(J)
t f,
F
ALL
TIME
(ns)
t d
(OFF)
,TURN-OFF
DELA
Y
TIME
(ns)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
R
G
, GATE RESISTANCE (OHMS)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 4.3
Ω
R
G
= 4.3
Ω, L = 100H, V
CE
= 400V
V
CE
= 400V
T
J
= 25°C
, or 125°C
R
G
= 4.3
Ω
L = 100H
35
30
25
20
15
10
5
0
250
200
150
100
50
0
16000
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
35000
30000
25000
20000
15000
10000
5000
0
V
GE
= 15V
T
J
= 125°C, V
GE
= 15V
T
J
= 25 or 125°C,V
GE
= 15V
T
J
= 25°C, V
GE
= 15V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 4.3
Ω
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
0
25
50
75 100 125 150 175 200 225
0
25
50
75 100 125 150 175 200 225
0
25
50
75 100 125 150 175 200 225
0
25
50
75 100 125 150 175 200 225
0
25
50
75 100 125 150 175 200 225
0
25
50
70 100 125 150 175 200 225
0
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
R
G
= 4.3
Ω, L = 100H, V
CE
= 400V
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
16000
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 4.3
Ω
E
off,
200A
E
on2,
200A
E
off,
100A
E
on2,
100A
E
off,
50A
E
on2,
50A
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
E
off,
200A
E
on2,
200A
E
off,
100A
E
on2,
100A
E
off,
50A
E
on2,
50A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT100GT60LR 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT106N60B2C6 106 A, 600 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10M07JVR 225 A, 100 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10M09B2VFRG 100 A, 100 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10M09LVFR 100 A, 100 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT100GT60B2RG 功能描述:IGBT 600V 148A 500W SOT247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT100GT60JR 功能描述:IGBT 600V 148A 500W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GT60JRDL 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube
APT100GT60JRDQ4 功能描述:IGBT 600V 148A 500W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GT60LR 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
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